MOS管的门极是一个金属氧化物层MOS薄膜bjt与mos区别，其输入电容很小bjt与mos区别，因此可以忽略漏电阻值则取决于MOS管的工作状态和工作电压在导通状态下，MOS管的漏电阻值很小，可以近似看作短路而在截止状态下，MOS管的漏电阻值很大，可以近似看作开路因此，当MOS管工作在截止状态下时，其输入电阻很高相对于BJT；三极管和MOS管的区别1工作性质三极管用电流控制，MOS管属于电压控制2成本问题三极管便宜，MOS管贵3功耗问题三极管损耗大，MOS管较小4驱动能力mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路；IGBT和MOS管在多个方面存在区别1 结构原理MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管，靠栅极电压控制沟道形成来导通电流IGBT则是绝缘栅双极型晶体管，结合了BJT和MOSFET的优点，由栅极电压控制导通2 性能特点MOS管开关速度快输入阻抗高驱动功率小，但导通电阻较大，导通损耗高IGBT开关速度稍；BJT是双极型三极管的意思，CMOS是互补金属氧化物半导体，在数字电路中用的很多，TTL是逻辑门电路在数字电子技术和模拟电子技术中有着广泛应用至于关系嘛，BJT和CMOS都是由半导体制成的元件，而BJT和CMOS则是TTL的组成元件。

1 MOS管可以用作开关管2 当用作开关管时，MOS管需要在工作在可变电阻区和夹断区状态下3 MOS管相比三极管具有电压控制特性，栅极电流小，压降低，耗散功率小，效率更高4 尽管MOS管在开关应用中具有优势，但其栅电容限制了开关速度，相比BJT，MOS管的开关速度通常较慢5 为确保MOS管的；功率MOSFET场效应管从驱动模式上看，属于电压型驱动控制元件，驱动电路的设计比较简单，所需驱动功率很小采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下1 驱动。

半导体器件有双极型BJT结型FET和绝缘型MOS几种，BJT是通过基极电流来控制集电极电流而达到放大作用的，而FETMOS是靠控制栅极电压来改变源漏电流，所以说BJT是电流控制器件，而FET和MOS是电压控制器件；EMC，电磁兼容性，Electromagnetic Compatibility的缩写，定义为电子设备既不干扰其它设备，同时也不受其它设备的影响电磁兼容性和我们所熟悉的安全性一样，是产品质量最重要的指标之一安全性涉及人身和财产，而电磁兼容性则涉及人身和环境保护EMI，电磁干扰，Electromagnetic Interference的缩写定义为。