是把这个扇区全部变成0xFFflash的数据写，是在原数据为 0xFF 的前提写入新数据，原数据为 0x00 就不能写入新数据，只有擦除后才能 写入新数据原数据为0x00，要写数据0XFF是不可能的，必须先擦除后才能写新数据，向扇区写0xFF是没有意义的，这是flash的特性决定的。

知道小有建树答主 回答量214 采纳率0% 帮助的人0 flash扇区页区别我也去答题访问个人页 关注 展开全部 闪存的概念 闪存Flash Memory是一种长寿命的非易失性在断电情况下仍能保持所存储的数据信息的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB闪存是电子可。

而EEPROM则主要用于保存用户数据，如闹钟时间这类需要在运行中修改的设置，即使掉电也能保持数据，重新上电无需重置，操作相对人性化尽管FLASH EEPROM的全名包含了EEPROM，但其操作方式与常规EEPROM不同，它以扇区为单位进行操作，寻址方法和存储单元结构与EEPROM有显著区别相比之下，EEPROM是按字节操作。

性能差别对于Flash的写入速度，其实是写入和擦除的综合速度，Nand Flash擦除很简单，而Nor Flash需要将所有位全部写0这里要说明一下，Flash器件写入只能把1写为0，而不能把0写为1，也就说，其写入的方式是按照逻辑与来进行的，譬如原来地址上的。

这二种存储关键词NORflashNandflashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间如苹果8G16G等，还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫FlashEEPROMMemory，通地过程序可以修改数据，即。

闪存Flash Memory是一种长寿命的非易失性在断电情况下仍能保持所存储的数据信息的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位注意NOR Flash 为字节存储，区块大小一般为256KB到20MB闪存是电子可擦除只读存储器EEPROM的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在。

写之前flash扇区页区别你擦除了没，flash必须写之前擦除才能写进去，否则是不会成功的，有两种办法，1你把这两种数据定义在不同扇区，2定义在一个扇区，但是一旦一个变化，两个都要重新擦除重新写。

3两者的区别可体现在以下几个方面1性能与功耗ssd存储数据时使用NAND型Flash，能够接受大量的保守1000次以上整块写入整块擦除后，能够保证超低的读写延迟，延迟时间仅微秒固态硬盘读写速度比机械硬盘高出2倍以上，固态硬盘的功耗上高于机械硬盘2噪音固态硬盘没有机械马达和风扇。

相比之下，Flash存储器适用于大容量数据存储，如固件操作系统和大型文件，其擦写速度快，适合大量数据的频繁更新在擦写操作上，EEPROM支持单字节级别的精确擦写，而Flash通常以较大扇区或数据块为单位操作，这可能导致同一数据块内数据被影响EEPROM读写速度相对较慢，适合对数据传输速度要求不高的应用。